型号: | 2SK545-11D-TB-E | RoHS: | 无铅 / 符合 |
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制造商: | ON Semiconductor | 描述: | MOSFET J-FET N-CH CP |
详细参数 |
数值 |
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产品分类 | 分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应 |
标准包装 | 3,000 |
系列 | - |
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) | 60µA @ 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
漏极电流 (Id) - 最大 | 1mA |
FET 型 | N 沟道 |
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | - |
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id | 1.5V @ 1µA |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1.7pF @ 10V |
电阻 - RDS(开) | - |
安装类型 | * |
包装 | * |
封装/外壳 | * |
供应商设备封装 | * |
功率 - 最大 | 125mW |